【大紀元訊】晶片大廠英特爾(Intel)近日宣佈晶片技術重大突破，可望讓手機效能更強，卻更加省電。

據中央社報道，這間美國晶片廠說，這是50多年前發明矽電晶體以來，首次以3維而非2維方式大量生產。

英特爾「革命性」的三門(Tri-Gate)電晶體，捨棄只往兩側擴充的方式，改由往上增加，如同高樓大廈內部空間比一堆矮平房更多。

英特爾早在2002年就宣佈三門晶片，如今以22納米製程生產。

英特爾說，低電壓和低耗電，遠超過我們平常所見的晶片時代躍進。◇

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