長鑫科技稱獲4F²技術突破 被指誇大競爭威脅

大陸存儲晶片企業長鑫科技宣布4F²架構關鍵進展，引發美光和三星等晶片巨頭的股價下跌。不過，分析指這是誇大了近期競爭威脅。

本周，中國最大的DRAM製造商長鑫科技（又稱「長鑫存儲」），宣布率先在下一代內存技術取得關鍵突破，完成新一代4F²架構設計。該技術透過垂直電晶體設計，減少單元面積，跟目前主流的6F²橫躺式架構相比，能讓晶片體積更小、儲存密度更高，成本更低。長鑫科技還預告稱，今年底前推出以這個架構設計，專為企業級伺服器與AI數據中心打造的DDR5產品，象徵其從低端的消費性電子晶片進軍高端晶片領域。

三星與SK海力士預計2028年才推出4F²架構設計，市場擔心長鑫科技的競爭威脅將侵蝕產業利潤。

DRAM是電腦、手機、伺服器和人工智能（AI）算力不可或缺的存儲部件，這一市場長期由韓國的三星、SK海力士和美光科技三巨頭主導，合計市佔率達全球90%。數據顯示，長鑫科技今年第二季度全球市佔率10%，高於去年同期的4%。

與此同時，全球股市科技板塊出現波動，美國美光科技和韓國三星等晶片巨頭股票被拋售，韓國股市更觸發熔斷機制。有分析認為，這與長鑫科技宣布4F²架構關鍵進展有關。

不過，Investor's Business Daily在10月14日的報道引述分析師觀點指出，投資者對長鑫科技取得「4F²架構關鍵進展」的反應過度，因為相關技術的量產與良率不明，長鑫科技充其量是紙老虎，不會對美光等內存廠商構成重大挑戰。

Rosenblatt Securities分析師卡西迪（Kevin Cassidy）表示，「這種反應誇大了近期競爭威脅，忽略了重塑DRAM需求的結構性變化。」

他表示，長鑫科技距離擴大新型晶片的生產規模和提高良率還有很長的路要走。「長鑫科技的報告並未明確指出製造良率或晶圓產量。新架構可能面臨巨大的初期良率挑戰。如果沒有這些訊息披露，產品上市目標就難以證明其具有競爭力和高產量經濟效益。」

也有分析師指出，長鑫科技發布訊息不代表市場已被顛覆，本周這場晶片股拋售潮的根本原因，是今年以來AI類股早已累積巨大升幅，但市場對於AI泡沫與資金斷鏈的焦慮日益加重，任何技術競爭或利空消息，都會成為投資者順勢獲利了結的理由。#