長鑫科技市值蒸發逾萬億 曾涉三星技術外洩案

大陸存儲晶片企業長鑫科技10月15日股價下跌5.24%，總市值跌破3萬億元（人民幣，下同），由A股市值首位退居第三。其股價較8月高點下跌近三成，不到兩個月市值蒸發逾1萬億元。

上市不足三個月 跌至A股第三

據《財聞》報道，長鑫科技當天收報每股43.59元，總市值約2.96萬億元；工商銀行總市值約3.03萬億元，重新位居A股首位，建設銀行以約3萬億元排名第二。

長鑫科技發行價為每股8.66元，7月27日在上海證券交易所科創板上市，首日收報49元，上漲465.82%，總市值約3.28萬億元，超過工商銀行。

8月17日，長鑫科技股價進一步升至61.8元，總市值約4.13萬億元，此後持續回落，市值先後跌破4萬億元和3萬億元。

長鑫科技此次上市最終募集資金約666億元，創下科創板首次公開招股募資規模紀錄，上市首日成交額達1411.87億元。

該公司主要從事動態隨機存取存儲器（DRAM）的研發、生產和銷售，產品用於伺服器、手機等設備。

上市前後，一些大陸投資者在股票論壇將長鑫科技與2007年上市後的中石油相比，擔心在高位買入後被套牢。

多次公布技術進展 股價仍下跌

市場研究機構Counterpoint今年9月發布的數據顯示，按銷售收入計算，長鑫科技旗下長鑫存儲今年第二季度佔全球DRAM市場約10%，排名第四。

長鑫存儲近兩個月多次公布技術和產品進展，稱新一代手機內存已經量產，並預計年底推出新款伺服器內存產品，但長鑫科技股價同期持續回落。

長鑫存儲捲入三星技術外洩案

長鑫存儲還被指涉及三星DRAM核心製程資料外洩。今年8月，一名曾任職三星電子、後來參與長鑫存儲創立的全姓工程師在韓國首爾中央地方法院作證稱，長鑫存儲2016年成立之初，公司高層便試圖取得三星的18納米DRAM製程資料。

韓國控方稱，這項技術由三星耗時5年、投入約1.6萬億韓圜研發，相關資料外洩至長鑫存儲後，經修改和驗證，被用於量產10納米級DRAM晶片。

韓國控方此前起訴全某等10人。全某因非法取得並使用三星相關技術，於今年4月22日被一審判處7年徒刑。#