中國AI存儲晶片短缺 長鑫良率二成仍將量產

路透社周三（10月28日）引述兩名知情人士透露，中國最大動態隨機存取存儲器（DRAM）製造商長鑫存儲（CXMT），計劃在未來兩個月內開始小規模量產用於人工智能（AI）處理器的HBM3E晶片。雖然其良率僅約20%至30%，但長鑫仍決定推進生產。

路透社指出，這項決定凸顯中國先進AI存儲晶片供應嚴重短缺。高帶寬存儲器（HBM）透過垂直堆疊存儲晶片，與AI處理器高速交換數據，是訓練及運行大型語言模型的關鍵組件。2024年12月，美國收緊部份先進HBM對中國的出口管制後，中國AI晶片廠商更難取得這類產品。美方出口管制也限制了長鑫取得部份先進晶片製造設備。

北京雖支持中企開發可替代輝達（NVIDIA）的中國AI處理器，但先進存儲晶片供應不足，仍限制了企業擴大產量。

長鑫良率偏低 性能落後

知情人士指出，長鑫HBM3E良率約20%至30%，與韓國SK海力士約70%的良率差距明顯。良率是生產出的晶片中符合規格的比例。良率偏低意味大量晶片須報廢或重新加工，推高成本。

另一名知情人士指出，測試中長鑫HBM3E的性能更接近SK海力士上一代HBM3，而非其HBM3E。長鑫已向數家中國AI晶片設計商提供樣品，包括標準版及旨在改善良率的更新版。

據路透社報道，中國晶片廠商因難以取得足夠的先進HBM，越來越多透過非官方渠道採購，價格可能高出數倍。路透社上月報道，華為、寒武紀、沐曦及天數智芯因存儲晶片成本問題，已將現有及下一代AI晶片價格提高20%至50%。

此前，美國商業媒體《訊息報》（The Information）8月31日引述兩名知情人士稱，長鑫已少量生產HBM3E，計劃2027年擴產。阿里巴巴旗下平頭哥（T-Head）、寒武紀等企業正測試這類產品，若進展順利，最早可能於2027年採用。

SK海力士第三季獲利成長632% 擴大HBM4產能

SK海力士周三公布第三季度營收104.62萬億韓圜（約合788.6億美元）、營利83.33萬億韓圜（約合628億美元），分別較去年同期增長327.9%及632.1%，雙雙創季度新高，並超出市場預估。其股價當天收漲10.89%，報148.7萬韓圜；韓國綜合股價指數（KOSPI）上漲6.63%，收報6,012.44點。

SK海力士正在擴大韓國清州M15X廠的HBM4產量，預計第四季度HBM4出貨量及營收均將超越HBM3E。該公司已與14家主要客戶簽訂長期協議，涵蓋2027年及2028年超過一半的產能。

SK海力士並宣布約100萬億韓圜的股東回饋計劃，包括現金股息及股票回購。該公司預計，全球存儲晶片供不應求的局面可能延續至2030年，計劃明年大幅增加投資。

市場研究機構Counterpoint Research的數據顯示，第二季度SK海力士佔全球HBM營收的50%，三星佔33%，美光科技（Micron）佔18%；長鑫則佔全球DRAM營收的10%。

2026年10月14日，韓國首爾COEX會展中心舉行的一場半導體展覽上，展示SK海力士（SK hynix）的HBM4E高帶寬存儲晶片。 （Jung Yeon-je/AFP via Getty Images）

三星已交付HBM4E樣品

三星電子5月29日宣布，已向主要客戶出貨12層HBM4E樣品；此前，其HBM4已開始量產及商業出貨。三星表示，HBM4E單引腳傳輸速率最高達16Gbps，較HBM4提升逾20%，單堆疊帶寬最高可達每秒3.6TB。

三星電子執行副總裁暨存儲器研發負責人黃相俊（Sang Joon Hwang）表示：「繼HBM四成功量產後，三星再次透過HBM4E展現了我們獨特的技術優勢。」

HBM4E目前仍處於送樣及優化階段，三星計劃配合客戶時程安排量產。

SK海力士也已經在6月18日交付HBM4E樣品。#