美兩黨聯手推抗衡中共法案

美國國會兩黨雖然在議政上存有大量分歧，但在抗衡中共挑戰上的立場卻罕見一致。參議院多數黨領袖舒默星期一（5月25日）表示，希望參議院本周通過「美國創新與競爭法」，鑒於共和黨人提出了大量修正和增加內容的要求，法案有可能會延至6月復會後表決，但兩黨都相信法案最終會順利通關。

「美國創新與競爭法」原名「無盡前沿法」，旨在幫助美國與中國在關鍵領域競爭。該法案擬總計投資近二千億美元，其中包括520億美元用於支持國內半導體製造業。

路透社形容，法案體現了在「深度分裂」的國會中，兩黨在對華強硬路線上「罕見一致的情緒」。1,400頁的「創新與競爭法」提出了一系列促進美國研究和技術製造的措施，這些措施被認為對美國經濟和國家安全利益至關重要。

法案獲得至少六個參議院委員會的支持，覆蓋中美競爭的多個領域以及應對全球晶片短缺問題。參議院全院兩黨議員5月17日以壓倒性多數的表決結果，決定終止無休止辯論，繼續推進法案。

草案內容大致包括：提供520億美元以支持美國國內的晶片製造；在2022財年至2026財年給國家科學基金會撥款810億美元；同期，撥款169億美元給能源部，用於關鍵技術領域的研究和開發以及與能源相關的供應鏈。

舒默星期一（5月24日）在參議院會議上說：「這項立法將使美國在未來的產業中走上超越創新、超越生產和超越競爭的道路。」

財經電視台CNBC報道說，雖然中國在晶片製造方面不具備技術優勢，但它在地理上接近那些技術優勢地點也是一個潛在問題，目前最先進的晶片製造工藝（5 納米節點）的代工廠分別由南韓的三星和台灣的台積電所有。

這些代工廠若在美國本土建立新廠，可申請520億美元的晶片獎勵資金。法案規定，將成立一個基金、由商務部管理，負責向改進或建造新工廠的晶片製造商提供跟州和地方政府匹配的財政資金。

美國商務部長雷蒙多（Gina Raimondo）星期一表示，美國政府提議斥資520億美元資助半導體生產與研發，可望催生7至10座新廠房。雷蒙多在美光科技一座廠房外的活動上表示，她預期政府這筆資金將促成晶片生產研發出現規模「1,500億美元以上」的投資，包括來自州與聯邦政府及民間企業的資金。

「我們只是需要這筆聯邦資金來解鎖私人資本」，「屆時，在美國可能會有7家，可能8家，可能9家，可能10家新廠房」。她預期各州都會積極爭取聯邦資金興建晶片設施，商務部將會有發放資金獎勵的透明程序。

律師事務所Akin Gump 的合夥人、前特朗普和奧巴馬政府貿易官員威廉斯（Clete Willems）表示，預計聯邦政府給每家晶片工廠的最高撥款金額可能在100億美元左右。威廉斯說，法案有望在兩院獲得廣泛的兩黨支持，與基礎設施支出上兩黨激烈和分化的立場相比，對抗中共法案可能代表著2021年

國會山兩黨合作的最後一瞥。「（法案是）為了提高美國的競爭力，不僅抗衡中國，也是對世界其它國家。」他說。◇

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「美國創新與競爭法」可望催生520億國內半導體製造業