美智庫籲封堵DUV漏洞 專家解析管制走向

在美中人工智能競爭日趨激烈之際，美國智庫警告，中國近年大量取得浸沒式深紫外光刻機，已形成支撐先進AI晶片生產的設備基礎，建議全面禁止對華出口浸沒式DUV（Deep Ultraviolet/深紫外光）設備，進一步限制相關零組件及維修服務。

三位受訪專家表示，343台DUV雖不足以讓中國追上美國及其盟友的先進晶片產能，但已能支撐一定規模的國產AI晶片生產；若要限制中共利用既有設備擴大產能，美國未來的管制重點可能由限制新機，轉向維修零件、軟件升級及關鍵供應鏈，以壓縮設備使用壽命和生產效率。

路透社10月4日報道，美國總統特朗普10月3日宣布成立「超級智慧部隊」（Super Intelligence Force, SIF），並任命國家情報總監傑伊‧克雷頓（Jay Clayton）兼任白宮人工智能（AI）主管，負責協調聯邦政府的AI相關工作。

該工作組需要在120天內提交一份全面報告，評估AI對國家安全與經濟的機遇及風險，並針對漏洞防禦與政府應變機制等，提出查核與建議。

當下，美中AI競爭日趨激烈，特朗普政府強調美國必須保持AI領域的領先優勢，並對與中共進行AI治理合作持明確保留態度。

美國自2022年起逐步收緊對華先進半導體製造設備出口管制，並於2023年進一步擴大相關限制；荷蘭、日本等美國盟友也相繼收緊對華先進光刻設備出口管制。

美智庫呼籲：堵住光刻機對華管制漏洞

美國智庫「技術與治國方略中心」（Center for Technology & Statecraft, CTS）2026年9月26日發布的報告認為，浸沒式深紫外光刻機是美國人工智能優勢的基礎，呼籲堵住對華出口管制漏洞。

CTS報告估算，截至2026年第一季度，中國企業擁有的晶片廠自2012年以來累計進口約343台深紫外浸沒式（DUVi）光刻系統。若將在中國營運的跨國企業晶片廠計入，設備總量估計約396台，模型估算區間為361至444台。

報告估算，中國企業晶片廠的343台DUVi設備中，約270台為ASML NXT:1980i，另有22台NXT:2050i、6台NXT:2100i，以及45台較早期的DUVi系統。

報告指出，在美國及其盟友限制對華先進半導體製造設備出口之際，中國企業仍累計取得數百台浸沒式DUV設備，其中部份較先進機型具備支援7納米級邏輯製程的能力。

CTS認為，中國近年大量進口浸沒式深紫外（DUVi）光刻設備，已累積形成可支持先進AI晶片生產的設備基礎，其中部份NXT:1980i設備可支援7納米邏輯及先進高頻寬HBM的生產。

報告指出，雖然中國目前的DUVi設備規模仍不足以匹敵美國及盟友的AI晶片產能，但如果未來5至10年維持2024至2025年的進口速度，並將新增設備大規模投入AI晶片生產，中共可能大幅縮小甚至消除美國及盟友目前的AI晶片製造優勢。

報告進一步指出，這反映現行出口管制可能存在漏洞，因此建議全面禁止向中共出口浸沒式DUV設備，並進一步限制相關零組件及維修服務。

中國343台浸沒式DUV能做甚麼？

就中國目前所獲得的343台光刻機的生產率，及美國未來可能進一步祭出的管制政策等問題，大紀元記者採訪了三位專家，他們各自表達了獨到的看法。

三位專家認為，343台浸沒式DUV已能為中國AI晶片生產提供一定支撐，但對其能否形成全球競爭級的大規模量產，判斷則有所不同。

台灣南華大學國際事務與企業學系教授孫國祥表示，這批設備「足以支撐一定規模的中國國產AI晶片生產，但不足以支撐中國取代全球先進AI晶片供應鏈的大規模量產」。他指出，DUV透過多重曝光可做出接近7納米產品，但「成本高、流程長、良率壓力大」。

台灣安全研究院研究員沈明室則認為，從設備潛在產能看，「這批設備理論上完全可以支撐中國未來幾年內AI晶片的商業化或者規模化生產」。他指出，270台NXT:1980i的潛在產能很大，足以支應目前需求，但以DUV多重曝光實現7納米，代價是「低良率」與「高昂的生產成本」。

台灣安全研究院戰略所所長蘇紫雲認為，343台加上中國既有設備，「預估足夠中國內部的晶片生產需求」。他指出，北京一方面把進口設備作為備份，另一方面又推進國產化；其中7納米仍是關鍵指標，而中國與西方在EUV技術上「可能差距還在10年到15年以上」。

如全面封鎖ASML 是否為時已晚？

三位專家認為，若美國現在才全面封鎖ASML浸沒式DUV光刻機，已難以從根本上阻止中共建立先進晶片產能，管制重點應轉向延緩擴產及限制後續維修、升級。

「全面封鎖ASML的浸沒式DUV仍有必要，但已不是阻止中國取得能力，而是延緩擴產、限制維修升級，提高良率與成本壓力。」孫國祥認為，美國的管制「大概晚了至少3到5年」，真正關鍵窗口在2020至2023年；如今已從源頭封鎖轉為「庫存消耗戰」。

沈明室認為封鎖效果有限，NXT:1980i直到2024年9月才納入許可證管理，且仍採逐案審查，「這2到3年的政策時間差，加之審查漏洞，給中國的晶片廠充足的時間。」僅2024、2025兩年，中國便投入逾130億美元囤積約179台，形成關鍵設備儲備。

蘇紫雲指出，政策搖擺反映美方在安全與經濟利益間的取捨。「對中國的這個晶片管制，是採取風險控管的部份。」他認為，中共一方面囤積設備，另一方面推進國產光刻技術，因此未來西方管制的難點，是如何在防堵先進技術外流與保留經濟收益間取得平衡。

美國管制重點轉向哪裏？

三位專家認為，美國下一步若要限制中國利用既有DUV設備擴大產能，管制重點可能由「卡新機」逐步轉向設備全生命周期及關鍵供應鏈。

孫國祥表示，「新機要卡，但重心應轉向維修零件跟供應鏈的這些節點。」他指出，光刻機高度依賴原廠維修、校準、零件及軟件升級，因此真正影響中國產能的，是能否讓既有設備長期、高效率運轉；同時還要管制EDA、光阻、量測、先進封裝及HBM等環節。

沈明室指出，「零件跟維修，才是決定這些中國擁有的343台存量設備的壽命，能夠活多久、能夠生產出多少晶片。」新機管制只能決定中國先進產能的上限，若切斷原廠維護，設備可能在一、兩年內面臨停機風險；但全面封鎖整條供應鏈，也可能加速全球半導體供應鏈分裂。

蘇紫雲則認為，西方未必會採取「完整封鎖」，而可能以7納米作為技術界線，「採取風險控制」。他指出，中國可能會以「量」補「質」，但在飛機、導彈、自駕車等對重量、能耗敏感的領域，西方社會先進製程可能仍具明顯優勢，維持大幅領先局面。

中國大量取得DUV設備，已建立一定的先進晶片生產基礎，但受制於良率、成本及整體產業鏈能力，與美國及盟友仍存在差距。專家認為，美國管制雖已錯過最佳時機，但仍可透過堵住設備、技術及供應鏈漏洞，延緩中共追趕速度。+#