涉嫌為中共偷晶片技術 三星兩前高管被捕

南韓警方逮捕了兩名三星電子公司的前高管，罪名是涉嫌竊取價值超過4.3兆韓圜（32億美元）的商業機密和技術，用於在中國建造一座山寨版三星晶片製造廠。

首爾警察廳（SMPA）周二（9月10日）表示，這兩人被確認為中國成都高真科技有限公司負責人，南韓人崔某，66歲，以及這家公司首席設計師，南韓人吳某，60歲。崔某曾任三星電子和SK海力士（SK Hynix Inc.）高階主管，吳某曾擔任三星高級研究員。

警方稱，崔某在2020年9月與中共地方政府成立了一家聯合半導體公司，他招募了包括吳某在內的大量南韓晶片專家，並通過該合資企業洩露了三星的核心記憶體技術。吳某被指控在轉職至成都高真科技有限公司後，在涉嫌的技術盜竊案中扮演關鍵角色。

警方表示，這兩人去年與中共官員合作生產20納米動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片，在2022年4月，崔某已經生產出了基本的開發產品，以測量其實際半導體功能。警方認為，這不僅損害了三星公司的利益，也「在各國陷入全球晶片大戰時，削弱了國家競爭力」。

警方估計洩露的三星技術的經濟價值為4.3兆韓圜（32億美元）。警方表示，他們的調查成功阻止了這家中國企業的運作。目前，警方還在調查移居成都的、其他還在成都高真任職的前三星員工是否有進一步的技術洩露。

南韓作為全球最重要的記憶體晶片生產國，是美國遏制中共科技野心的重要盟友。#

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