紐約州長霍楚爾12月11日宣布，將與IBM、美光（Micron）、應用材料（Applied Materials）和東京電子（Tokyo Electron）等半導體產業者共同投資100億美元，在州府奧爾巴尼打造一座擁有最先進晶片製造設備的下一代半導體研發中心。
根據計劃，紐約州府將先出資10億美元，在州立大學奧爾巴尼分校的奧爾巴尼納米科技綜合園區（Albany NanoTech Complex）建一座新的5萬平方呎的無塵室大樓，安裝向荷蘭艾司摩爾公司（ASML Holding）購買的下一代光刻設備，打造北美首座尖端的高數值孔徑極紫外光刻中心（High NA EUV Lithography Center）。新建工程預計將耗時兩年左右，建成之後，IBM、美光、應用材料和東京電子等合作業者將投資90億美元，在此從事最複雜、最強大的半導體的研發和下一代晶片製造。
近年來，隨著美中對抗加劇，在限制對中國出口晶片的同時，擴大美國晶片製造和研究已成為聯邦和州一級的優先事項。
「我們談論的不僅僅是創新，還有地緣政治力量平衡。這是利害攸關之處。」州長霍楚爾致詞時指出，「美國曾經在這個行業佔據主導地位。1990年，我們擁有全球半導體總產量40%⋯⋯發生了一些事情後，如今這一比例為12%，我們過度依靠來自中國（China）、南韓、台灣等地貨物和零件。」
紐約州長霍楚爾說：「尤其是中國人（Chinese）正試圖主導這個行業。你猜怎麼著？我們不會讓這種情況發生。這就是為甚麼今天在這裏，我們與半導體行業的領導者，啟動一項價值100億美元的新合作夥伴關係，並向前邁出一步，以確保紐約成為世界半導體之都。」
美國聯邦參議院多數黨領袖舒默在新聞發布會說：「目前的世界紀錄是IBM製造的2納米晶片，但這項數十億美元投資，創建的新設施會把科幻小說變成現實，打造出比1納米更小的晶片。」
這座高數值孔徑極紫外光刻中心可望創造至少700個新的直接就業機會，並為上州地區留住數千個就業崗位。建成之後不但將成為創新晶片技術研發的終極目的地，還有助於紐約州爭取新的全國半導體技術中心（National Semiconductor Technology Center）在此落腳。全國半導體技術中心是美國國會去年通過的530億美元的《晶片法案》（CHIPS Act）的核心項目，將撥款110億美元設立全國半導體中心，以促進美國的晶片研發。#
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