周五（2月26日），美國司法部發表新聞稿說，居住在香港的中國商人吳志龍（音譯，Winsman Chi Lung Ng，又名Winsman Ng）因涉嫌盜竊通用電氣（GE）價值數百萬美元的碳化矽（silicon carbide，簡寫為SiC）MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）技術機密，被美國起訴。

起訴書顯示，大約在2017年3月至2018年1月之間，吳志龍和至少一個同謀策劃了一項業務，該業務將利用從GE竊取的商業秘密，來製造和銷售「碳化矽MOSFET」。

與相同功率等級的「矽MOSFET」（Si MOSFET）相比，「碳化矽MOSFET」導通電阻、開關損耗大幅降低，適用於更高的工作頻率，另由於其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性。

司法部新聞稿表示，吳志龍與至少一名在通用電氣工作超過7年的工程師（同謀＃1），計劃利用從GE盜取的「碳化矽MOSFET」技術機密和其它專有信息，吸引投資者注資兩人開發的項目。

新聞稿說，吳和「同謀＃1」利用這些商業秘密制定了商業計劃並撰寫PowerPoint演示文稿，將其提供給潛在投資者；他們告訴潛在投資者，這項業務可以在三年內獲利，其創業公司擁有有形和無形資產，估價1億美元。作為該計劃的一部份，兩人尋求約3,000萬美元資金，以換取其初創公司的部份所有權。據稱，2017年8月，吳和「同謀＃1」在中國會面，並向正在考慮給吳的初創公司提供資金的中國投資公司做介紹。

司法部表示，目前沒有證據表明「碳化矽MOSFET」技術已經被非法轉讓給任何中國公司，包括吳及其同謀試圖創辦的公司。

司法部國家安全部助理部長約翰·C·德默斯（John C. Demers）表示：「據稱，吳志龍及其同謀選擇盜竊他們因缺乏時間、智慧或金錢而無法創造的東西，為了外國公司的利益而盜竊美國知識產權，使美國公司失去創新果實，剝奪了美國工人的工作機會。本部門將竭盡全力摧毀這種非法和經濟破壞性行為。」

美國紐約北部地區檢察官伊利沙伯·C·庫姆（Elizabeth C.Coombe）表示：「正如起訴書中所指，吳及其共謀從通用電氣竊取商業機密，以成為（通用電氣的）競爭對手……我們將繼續與聯邦調查局合作，追究那些企圖從我們地區創新公司那裏竊取商業機密的人。」

FBI反情報部門副主任艾倫·科勒（Alan E. Kohler Jr.）表示：「聯邦調查局敦促任何美國企業若懷疑任何人（不論國籍）試圖竊取商業機密，請與我們聯繫。只有與美國企業緊密合作，我們才能保護我們的經濟和國家安全。」

FBI紐約州首府奧爾巴尼駐外辦事處負責人托馬斯·雷爾福德（Thomas F. Relford）表示：「根據起訴書，吳和共謀從通用電氣那裏竊取有價值的敏感技術，並在中國進行生產。」

「我們的辦公室、美國檢察官辦公室和GE密切配合，並迅速開展工作，以防止盜竊和由此對我們經濟安全造成的損害。」他說。#

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