南韓首爾中央地方法院上周六（12月16日）批准逮捕一名涉嫌將晶片核心技術洩露給中國的前三星電子員工。

法院在上周六上午發出的聲明中說，1名法官上周五發出了逮捕令。上周三，檢察官懷疑，這名金姓前三星電子員工涉嫌將18納米級DRAM（動態隨機存取存儲器）核心技術非法轉讓給中國存儲晶片製造商「長鑫存儲技術有限公司」。

據《南韓經濟日報》報道，檢方表示，技術洩漏造成的損失可能約為2.3萬億韓圜（18億美元），且此案還涉及三星電子供應商的其他數十人。

韓聯社報道說，三星電子前部長金某與合作廠商A公司前部長方某涉嫌違反《產業技術保護法》，將核心技術非法轉讓給長鑫存儲。

南韓檢方認為，金某等人2016年離開三星電子，去了長鑫存儲時，不僅轉讓了晶片「沉積技術」相關資料，還洩露了其它7個核心技術資料，並以此收受數百億韓圜的財物。

南韓檢方還認為，金某還以稅後5億韓圜（約38萬5千元美金）的報酬帶走了三星電子及有關公司的逾20名技術人員。

三星對此沒有評論。長鑫存儲拒絕就此事發表具體評論，但在一份聲明中表示，它尊重知識產權，並擁有健全機制防止來自員工的第三方訊息流入。

南韓產業技術洩露到海外的案件在最近6年間共達117件，92.3%洩漏到中國，其中36項為國家關鍵技術。根據南韓警察廳統計，今年2月至10月技術外洩案件較去年增加75%，是近10年來最高水平。

在南韓加強打擊產業間諜之際，一名前三星電子高管崔珍奭因涉嫌盜取機密並企圖在中國設立山寨版三星電子半導體工廠，被逮捕起訴。崔珍奭11月份以5,000萬韓圜（約3萬8,500元美金）獲得保釋，引發業界對「輕饒」商業秘密犯罪的擔憂。

崔珍奭涉嫌從2018年8月至2019年2月以不當手法獲取並使用三星電子半導體工廠基本工程數據（Basic Engineering Data）、工藝流程圖、設計圖等資訊。涉案技術屬於南韓的國家核心技術，包括用於製造30納米以下動態隨機存取記憶體（DRAM）和快閃記憶體晶片（NAND）的製程工藝。

他曾任三星電子常務、SK海力士副社長等職務，曾獲政府頒發的「銀塔產業勛章」，是南韓半導體製造領域的權威人物。2015年7月，他在新加坡成立半導體公司，從成都、台灣企業拿到投資後引進了南韓業界逾200名核心人才。他還試圖在距離三星電子西安半導體工廠僅1.5公里處設立山寨版三星晶片廠。崔珍奭否認所有指控。◇

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