韓國芯片企業SK海力士（SK Hynix Semiconductor Inc.）日前推出業界最先進的DRAM內存HBM3。韓國芯片專家表示，這是迄今為止速度最快、容量最大的內存。

SK海力士10月20日宣布，已成功開發第三代DRAM內存HBM3。這款芯片每秒能處理819GB數據，可以在1秒內下載163部全高清電影，與之前的產品HBM2E相比，數據處理的速度提高了78%。

SK海力士表示，HBM3不僅是業界最快的DRAM內存，並且有業界最大容量。這款芯片的推出將有助於鞏固該公司在市場的領先地位。

SK海力士是全球第二大存儲芯片製造商，其主要客戶包括蘋果。

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，是計算機存儲器中最常見的類型，可以在很小的物理空間中保存大量數據。

HBM（High bandwidth memory），即高帶寬存儲器，是一種CPU/GPU內存芯片（即 「RAM」），就像摩天大廈中的樓層一樣可以垂直堆疊。基於這種設計，信息交換的時間將會縮短。

芯片專家：HBM是韓國半導體的驕傲

「HBM是我國半導體的驕傲！」韓國芯片工程學會會長、韓國西江大學教授範鎮旭（Jinwook Burm）10月26日在接受大紀元記者採訪時這麼說。 HBM3是迄今為止最快、可以處理數據量最大的儲存器。

據範會長介紹，HBM3是可以快速讀寫大量數據的存儲器，是第四代HBM半導體。因之前以HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3進行開發，因此這款半導體被稱為第四代。

他介紹說，數據的傳遞和快遞或物流運輸相似，HBM是一次性大容量運輸，且HBM3每秒可以處理819GB數據。

他表示，隨著人工智能半導體的發展，圖片處理裝置（GPU, Graphical Processing Unit）的使用正在增加，在引領未來產業方面是必不可少的技術。 「SK海力士完成了最高速度(819GB/s)和最大容量(24GB)」。

同時，與普通存儲器相比，HBM3應用了存儲堆積(疊加)這一高難度技術。範會長解釋說，如果說普通存儲器是1層建築，那麼此次推出的HBM3等於12層建築。

他說，「晶片必須是30微米(厘米的一萬分之一)的厚度，這是非常薄的，而且要整齊排列堆放，這是非常困難的技術。此次在HBM技術中實現了最好的性能，雖然其難度很高，但正在發展成為未來經常使用的成套技術。」

他認為，HBM3的開發成功有助於韓國國內技術的發展和確保國際競爭力。他說：「HBM技術被用於人工智能半導體的核心，開發也需要高難度的尖端工程，因此這種技術可以超越HBM，擴大相關技術的發展。」

他還說，雖然HBM技術已經開發出來，但其速度和容量仍呈增加趨勢，SK海力士在HBM領域一直保持著領先地位。

此前，韓國三星電子在10月12日宣布開始量產採用極紫外（EUV, Extreme Ultraviolet）技術的14納米動態隨機存取儲存器（DRAM）。

三星在14納米DRAM上使用了5層EUV，實現了最高位密度，同時將整體晶圓生產效率提高了約20%。與上一代DRAM節點相比，14納米工藝可降低近20%的功耗。

根據最新的DDR5標準顯示，三星的14納米DRAM將開創過去產品所未有的傳輸速度，速度高達7.2千兆比特每秒（Gbps），是DDR4的兩倍多。

範會長表示，DDR5是用於中央處理器（CPU, Central Processing Unit）的存儲器，GDDR和HBM是用於圖片處理裝置的存儲器。與其說存在優劣，不如說是為了體現必要的特性而製作的不同。

他說：「三星批量生產14納米EUV DDR5 DRAM是了不起的技術」，「我國存儲器的市場佔有率之所以超過70%，是因為確保了技術優勢」。

他認為，在DRAM上，韓國三星和SK海力士將繼續保持優勢。 「我認為，我國通過確保技術優勢，可以克服代工部分的缺點，」他說，「在激烈的競爭中，包括台積電（TSMC）在內的台灣企業和美光(Micron)等想要重新佔據半導體霸權的美國企業的挑戰非同尋常。」

他預測，半導體領域的前景是光明的，並認為全球半導體供應不足的現象可能只是暫時的。今後，半導體市場將爆發性增長，大規模活躍。

「隨著數據將世界轉型，電子設備的使用也比過去有所增加，再加上自動駕駛汽車問世，將會產生原本沒有的需求。比如數據中心、人工智能、汽車半導體領域的年均增長率在30%至40%左右。」他說。@

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