上周五(2月26日),美國司法部發表新聞稿說,居住在香港的中國商人吳志龍(音譯,Winsman Chi Lung Ng,又名Winsman Ng)因涉嫌盜竊通用電氣(GE)價值數百萬美元的碳化矽(silicon carbide,簡寫為SiC)MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)技術機密,被美國起訴。

起訴書顯示,大約在2017年3月至2018年1月之間,吳志龍和至少一個同謀策劃了一項業務,該業務將利用從GE竊取的商業秘密,來製造和銷售「碳化矽MOSFET」。

與相同功率等級的「矽MOSFET」(Si MOSFET)相比,「碳化矽MOSFET」導通電阻、開關損耗大幅降低,適用於更高的工作頻率,另由於其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性。

司法部新聞稿表示,吳志龍與至少一名在通用電氣工作超過7年的工程師(同謀#1),計劃利用從GE盜取的「碳化矽MOSFET」技術機密和其它專有信息,吸引投資者注資兩人開發的項目。

新聞稿說,吳和「同謀#1」利用這些商業秘密制定了商業計劃並撰寫簡報演示文稿,將其提供給潛在投資者;他們告訴潛在投資者,這項業務可以在3年內獲利,其創業公司擁有有形和無形資產,估價1億美元。作為該計劃的一部份,兩人尋求約3,000萬美元資金,以換取其初創公司的部份所有權。據稱,2017年8月,吳和「同謀#1」在中國會面,並向正在考慮給吳的初創公司提供資金的中國投資公司做介紹。

司法部表示,目前沒有證據表明「碳化矽MOSFET」技術已經被非法轉讓給任何中國公司,包括吳及其同謀試圖創辦的公司。

司法部國家安全部助理部長德默斯(John C. Demers)表示:「據稱,吳志龍及其同謀選擇盜竊他們因缺乏時間、智慧或金錢而無法創造的東西,為了外國公司的利益而盜竊美國知識產權,使美國公司失去創新果實,剝奪了美國工人的工作機會。本部門將竭盡全力摧毀這種非法和經濟破壞性行為。」

美國紐約北部地區檢察官庫姆(Elizabeth C. Coombe)表示:「正如起訴書中所指,吳及其共謀從通用電氣竊取商業機密,以成為(通用電氣的)競爭對手……我們將繼續與聯邦調查局合作,追究那些企圖從我們地區創新公司那裏竊取商業機密的人。」

FBI反情報部門副主任科勒(Alan E. Kohler Jr.)表示:「聯邦調查局敦促任何美國企業若懷疑任何人(不論國籍)試圖竊取商業機密,請與我們聯繫。只有與美國企業緊密合作,我們才能保護我們的經濟和國家安全。」

FBI紐約州首府奧爾巴尼駐外辦事處負責人雷爾福德(Thomas F. Relford)表示:「根據起訴書,吳和共謀從通用電氣那裏竊取有價值的敏感技術,並在中國進行生產。」

「我們的辦公室、美國檢察官辦公室和GE密切配合,並迅速開展工作,以防止盜竊和由此對我們經濟安全造成的損害。」他說。◇