韓國控方日前以涉嫌非法向中國轉移國家核心半導體技術為由，正式起訴包括三星電子前高管與工程人員在內的10名被告。案件焦點直指中國內存晶片製造商長鑫存儲科技（CXMT），凸顯在全球存儲晶片競爭日益白熱化之際，技術機密外洩已被視為國家級安全事件。
控方調查認定，涉案人員在2016年至2023年間，長期、系統性地將三星全球率先開發的10納米級DRAM（dynamic random-access memory，動態隨機存儲器）製程技術非法外洩至中國，對韓國半導體產業與國家技術安全造成重大損害。
10納米級DRAM核心技術遭「整體外流」
據韓國半導體專業媒體The Elec報道，首爾中央地方檢察廳資訊技術犯罪調查部周二（12月23日）通報，涉案核心人物為曾任三星電子研發要職、後出任長鑫存儲開發負責人的A某（真實名字未公開）。A某在長鑫存儲全面主導10納米級DRAM技術研發，涉嫌違反《產業技術保護法》，將南韓國家核心技術輸出海外，已被羈押起訴。
與其共同參與10納米級DRAM研發的4名核心工程師亦被羈押起訴，另有5名分項研發負責人以不羈押方式起訴。
控方指出，長鑫存儲是在中共當局投入鉅額資金支持下成立的中國首家也是目前唯一的DRAM製造商，其在10納米級DRAM的研發與量產全過程中，不正當使用了韓國國內世界最高水準的半導體核心技術。
規避監管 手抄數百項製程參數
調查顯示，前三星研究員B某2016年跳槽至長鑫存儲時，為避開電子拷貝與拍攝可能留下的追蹤痕跡，改以手寫方式抄錄約600項關鍵DRAM製程工藝與設備參數，隨後將這些數據帶入中國。
控方認定，該批資料屬於三星歷時5年、投入約1.6萬億韓圜（約合12億美元）研發的10納米級DRAM核心成果，是整個製程體系中最具商業價值的技術資產。
此外，負責長鑫存儲潔淨製程的C某也被指控經由供應鏈管道非法取得SK海力士（SK Hynix）的國家核心技術，進一步擴大了外洩範圍。
控方認為，這些外流技術使長鑫存儲迅速補齊多項先進工藝缺口，並在2023年實現中國首次量產10納米級DRAM，兩者「具有高度關聯性」。
控方認定屬「有組織犯案」
控方披露，涉案人員為躲避偵查，不僅成立空殼公司、多次轉移辦公地點，內部還流傳「要假設國情院（NIS，韓國最高情報與反情報機構）就在附近」等行動守則，甚至預先約定遭拘捕時使用暗號通知同夥。
控方指出，相關外洩行為呈現明顯的組織性與持續性，並非單一個人所為。對於危及國家核心技術的案件，控方強調將堅決、嚴正應對，並依法從重追究責任。
損失或達數十萬億韓圜
控方估算，僅以三星電子為例，近年因技術流失造成的市場損失恐達5萬億韓圜（約合37億美元）。若計入整體產業鏈與未來競爭力受損，影響規模可能擴大至「數十萬億韓圜」級別。
此案曝光之際，正值全球內存晶片市場在人工智能需求帶動下價格走高、供應趨緊。技術外洩不僅影響企業競爭力，也牽動國家技術安全，因而在韓國產業界與科技界引發高度關注。#
--------------
記得那一天
也繼續過好每一天
--------------
📌 2025大事回顧👇🏻
https://hk.epochtimes.com/tag/回顧2025
🔔下載大紀元App 接收即時新聞通知：
🍎iOS：https://bit.ly/epochhkios
🤖Android：https://bit.ly/epochhkand
📰周末版實體報銷售點👇🏻
http://epochtimeshk.org/stores
