路透報道,消息人士表示,南韓三星電子最新的高頻寬記憶體(HBM)晶片,尚未通過輝達(Nvidia)的測試,因存在發熱和功耗問題,無法用於輝達的人工智能(AI)處理器。
消息稱,這將影響三星HBM3晶片,以及牽連今年三星及其競爭對手將推向市場的第五代HBM3E晶片。目前尚不清楚這些問題是否容易解決。
消息人士指,三星未能達到輝達的要求增加業界和投資者的擔憂,三星在HBM方面可能會進一步落後於競爭對手SK海力士和美光科技(Micron)。
三星在聲明表示,HBM是一種客製化的內存產品,需要根據客戶的需求進行優化,公司正在通過與客戶的密切合作優化其產品。@
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