路透報道，消息人士表示，南韓三星電子最新的高頻寬記憶體（HBM）晶片，尚未通過輝達（Nvidia）的測試，因存在發熱和功耗問題，無法用於輝達的人工智能（AI）處理器。
消息稱，這將影響三星HBM3晶片，以及牽連今年三星及其競爭對手將推向市場的第五代HBM3E晶片。目前尚不清楚這些問題是否容易解決。
消息人士指，三星未能達到輝達的要求增加業界和投資者的擔憂，三星在HBM方面可能會進一步落後於競爭對手SK海力士和美光科技（Micron）。
三星在聲明表示，HBM是一種客製化的內存產品，需要根據客戶的需求進行優化，公司正在通過與客戶的密切合作優化其產品。＠
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