在晶圓代工市場熾熱的競爭中,三星6月30日搶先宣布,量產最先進的3納米晶片。韓國輿論指,這為三星追擊台積電奠定基礎,但關鍵是要確保良率和客戶。

三星電子6月30日正式宣布,開始採用全環繞柵極(GAA:Gate-all-around)技術量產3納米(nm)晶片。3納米是半導體製造工程中最先進的技術,而目前使用新一代GAA技術的3納米工藝,在全球代工企業中只有三星電子一家。

GAA技術可以更好地控制電流走向,提高效率。此前,晶圓代工的全球龍頭企業台積電(TSMC)曾宣布將於今年下半年量產3納米晶片,計劃2025年上半年從2納米工藝開始引入GAA技術。

三星介紹,與傳統的5納米晶片相比,新研發的3納米製程能降低高達45%的功耗,提升23%的性能,並減少16%的面積。1納米相當於10億分之1米,代表晶片電路的線寬。線寬越小,在一張晶圓(薄而圓的矽板)內就會生產出更多晶片,從而能夠提高生產效率和收益性。

三星電子計劃將3納米製程工藝優先應用於高性能計算(HPC)晶片,再擴大至移動系統晶片(SoC)等。

三星電子曾宣布,將在今年上半年量產基於GAA技術的3納米製程產品。今年5月20日美國總統拜登訪問韓國時,首站參觀三星電子平澤工廠時,三星掌門人李在鎔(Lee Jae-Yong)曾向其介紹了3納米晶片晶圓,拜登和韓國總統尹錫悅還在3納米製程晶圓的試製品上簽了字,引發外界關注。

期間,由於沒有關於三星正式實現量產3納米晶片的消息,外界曾猜測三星可能因技術問題或者確保客戶問題,上半年很難實現3納米量產。但是,三星最終趕在上半年的最後一天6月30日正式宣布量產3納米晶片。

韓國輿論認為,三星作為晶圓代工領域的後起之秀,能夠採用GAA技術量產3納米,在技術上佔據優勢,意義重大,為追擊台積電奠定基礎。不過,關鍵的問題還是良率(合格產品比率)問題。儘管三星率先宣布實現3納米量產,但如果因良率不穩定,導致不能及時供貨,將無法獲得客戶的信任,很難確保更多的客戶。此前,在4納米工藝上,三星電子的良率曾被指出現問題,導致失去高通(Qualcomm)等核心客戶。

目前在晶圓代工市場佔據第二位的三星與台積電拉開距離。據全球市場調查企業Trend Force的數據,三星電子在晶圓代工市場的佔有率,從去年第四季度的18.3%下降到今年第一季度的16.3%。而台積電同期的佔有率從52.1%提高到53.6%。兩公司去年市場的佔有率差距從第四季度的33.8%,擴大到今年第一季度的37.3%。

在存儲器半導體方面,居龍頭地位的三星,於2005年投身於晶圓代工事業。隨著2016年成功批量生產10納米晶片,三星獲得了自信,於2017年另外成立了代工事業部,正式開始確保顧客。

三星電子曾於2019年宣布,計劃到2030年為止,不僅在存儲器半導體領域,在系統半導體領域也要達到第一。但晶圓代工事業的發展,確保核心客戶非常重要。台積電以超過50%的市場佔有率穩居業界第一,原因被認為是抓住了最大的代工客戶蘋果。要想確保核心客戶,需要先進的技術。

三星副會長李在鎔6月中旬為布局晶片產業鏈曾訪問歐洲,他在回國途中,曾喊出「技術!技術!技術!」,表現出對確保技術差距的迫切。@

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