在晶圓代工市場熾熱的競爭中，三星6月30日搶先宣布，量產最先進的3納米晶片。韓國輿論指，這為三星追擊台積電奠定基礎，但關鍵是要確保良率和客戶。

三星電子6月30日正式宣布，開始採用全環繞柵極（GAA：Gate-all-around）技術量產3納米（nm）晶片。3納米是半導體製造工程中最先進的技術，而目前使用新一代GAA技術的3納米工藝，在全球代工企業中只有三星電子一家。

GAA技術可以更好地控制電流走向，提高效率。此前，晶圓代工的全球龍頭企業台積電（TSMC）曾宣布將於今年下半年量產3納米晶片，計劃2025年上半年從2納米工藝開始引入GAA技術。

三星介紹，與傳統的5納米晶片相比，新研發的3納米製程能降低高達45%的功耗，提升23%的性能，並減少16%的面積。1納米相當於10億分之1米，代表晶片電路的線寬。線寬越小，在一張晶圓（薄而圓的矽板）內就會生產出更多晶片，從而能夠提高生產效率和收益性。

三星電子計劃將3納米製程工藝優先應用於高性能計算（HPC）晶片，再擴大至移動系統晶片（SoC）等。

三星電子曾宣布，將在今年上半年量產基於GAA技術的3納米製程產品。今年5月20日美國總統拜登訪問韓國時，首站參觀三星電子平澤工廠時，三星掌門人李在鎔（Lee Jae-Yong）曾向其介紹了3納米晶片晶圓，拜登和韓國總統尹錫悅還在3納米製程晶圓的試製品上簽了字，引發外界關注。

期間，由於沒有關於三星正式實現量產3納米晶片的消息，外界曾猜測三星可能因技術問題或者確保客戶問題，上半年很難實現3納米量產。但是，三星最終趕在上半年的最後一天6月30日正式宣布量產3納米晶片。

韓國輿論認為，三星作為晶圓代工領域的後起之秀，能夠採用GAA技術量產3納米，在技術上佔據優勢，意義重大，為追擊台積電奠定基礎。不過，關鍵的問題還是良率（合格產品比率）問題。儘管三星率先宣布實現3納米量產，但如果因良率不穩定，導致不能及時供貨，將無法獲得客戶的信任，很難確保更多的客戶。此前，在4納米工藝上，三星電子的良率曾被指出現問題，導致失去高通（Qualcomm）等核心客戶。

目前在晶圓代工市場佔據第二位的三星與台積電拉開距離。據全球市場調查企業Trend Force的數據，三星電子在晶圓代工市場的佔有率，從去年第四季度的18.3%下降到今年第一季度的16.3%。而台積電同期的佔有率從52.1%提高到53.6%。兩公司去年市場的佔有率差距從第四季度的33.8%，擴大到今年第一季度的37.3%。

在存儲器半導體方面，居龍頭地位的三星，於2005年投身於晶圓代工事業。隨著2016年成功批量生產10納米晶片，三星獲得了自信，於2017年另外成立了代工事業部，正式開始確保顧客。

三星電子曾於2019年宣布，計劃到2030年為止，不僅在存儲器半導體領域，在系統半導體領域也要達到第一。但晶圓代工事業的發展，確保核心客戶非常重要。台積電以超過50%的市場佔有率穩居業界第一，原因被認為是抓住了最大的代工客戶蘋果。要想確保核心客戶，需要先進的技術。

三星副會長李在鎔6月中旬為布局晶片產業鏈曾訪問歐洲，他在回國途中，曾喊出「技術！技術！技術！」，表現出對確保技術差距的迫切。@

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