近日,一份法律證詞揭露,中國內存晶片製造商長鑫存儲科技(CXMT)創立初期就鎖定了三星的DRAM核心製程技術。該中企被控竊取三星核心技術,引發韓國科技界的高度關注,要求加強洩漏國家核心技術刑罰的呼聲日益高漲。

近日在韓國首爾中央地方法院的庭審中,一名曾任職三星電子、後跳槽協助長鑫存儲創立的全姓(Jeon)工程師出庭作證指出,CXMT於2016年成立時,公司高層無意自主研發,而是鎖定竊取三星核心資料。

全某表示:「當時CXMT既無研究機構也無生產設施,且無意透過自主研發來開發技術。」他因轉職至CXMT後,非法取得並使用三星電子的18納米DRAM製程技術,於去年4月一審被判處七年有期徒刑。

韓國控方自2024年1月至去年12月調查此案,認為三星電子耗時五年、投入約1.6兆韓圜研發的18納米DRAM製程技術已外洩至CXMT。控方指出,CXMT透過招募三星前高層與員工,對洩漏的製程資訊進行修改與驗證以適配當地設備,最終成功量產10納米級DRAM晶片。

控方因此以違反國家核心技術外洩相關法律為由,起訴包括全某在內共十名參與技術外洩的研發人員。

三星或向美國國際貿易委員會提出申訴

據韓國《中央日報》引述匿名律師說法,三星可依據美國《關稅法》第337條,向美國國際貿易委員會(ITC)提出申訴,尋求排除令(Exclusion Order),禁止涉及商業機密挪用或專利侵權的產品進口美國。

該律師指出,「即使CXMT沒有直接將晶片出口到美國,只要相關產品作為零組件嵌入其它產品後進入美國,仍然會被視為進口。」

三星也可在美國聯邦地方法院提起民事損害賠償訴訟;若產品出口至其它國家或地區,亦可在當地提起訴訟。#

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