美國司法部週四（11月1日）正式起訴中國福建晉華集成電路（簡稱福建晉華）公司以及台灣的聯華電子公司（簡稱聯電），指控他們共謀從美國半導體巨頭美光科技公司（Micron）竊取商業機密。

根據加州聖荷西市（San Jose）聯邦法院公佈的起訴書，美國政府對晉華和聯電同時提出刑事和民事控訴，並尋求阻止這兩家公司將使用有爭議的商業機密製造的產品輸往美國。刑事起訴書在2018年9月27日提交，11月1日公佈；民事訴訟於11月1日提交。

晉華和聯電均被控三項罪名，分別是共謀經濟間諜罪、接收被盜商業機密罪（屬於經濟間諜罪名的一種）以及共謀竊取商業機密罪。

依照美國法律，被起訴並不等於有罪。如果共謀經濟間諜罪以及接收被盜商業機密罪成立，可能面臨最高1千萬美元的罰款或三倍於被盜商業機密價值的罰款；如果共謀竊取商業機密罪成立，可能面臨最高500萬美元的罰款或三倍於被盜商業機密價值的罰款。同時，兩家企業還面臨被沒收資產的懲罰。

除了這兩家公司，還有三名台灣個人也一併遭受指控。起訴書說，涉案3名台灣男子是陳正坤、何建庭和王永銘，他們曾是美光在台灣子公司的高管，但在加入聯電前後竊走美光的技術，目的是要轉移給僅成立兩年的福建晉華公司。

美國司法部長塞申斯（Jeff Sessions）表示，受害企業美光的市值1,000億美元，擁有全球市場動態隨機存取存儲器（DRAM）20%-25%的份額，這項技術是中國直到最近才擁有的。

他說，中共國家支持的計劃不斷竊取美國的工商業機密，這只是最新一宗案件；和近期其它案件一樣，它們顯示，中國（中共）決心一路偷竊機密、促進經濟發展，而美國則成為苦主。

「這種行徑不合法，是錯的，而且對我們的國家安全構成威脅，必須要停止，」塞申斯說。「這已經夠多了，司法部將對這類違法行為提起訴訟。」

起訴書指，在中國並未擁有DRAM技術的情況下，中共政府和國務院已公開將DRAM和其它微電子技術發展確定為國家經濟優先事項。在這種激勵下，中國看準台灣為美國科技公司代工，便轉向台灣聯電獲取DRAM技術。

根據起訴書，福建晉華與台灣聯電共同竊取美光的商業祕密，包括動態隨機存取存儲器（DRAM）。美光是唯一一家生產DRAM的美國公司，並在這一領域保持著顯著競爭優勢，這在很大程度上歸功於其專有知識產權，包括其頂尖DRAM產品的設計、開發和製造的詳細機密信息。

路透社報道，美國正擴大反制中國對美國企業的間諜活動，這是司法部9月以來提出的第4個案件。塞申斯強調，中國的間諜活動快速增長，美國政府將採取新的主動行動反制。

美國聯邦調查局（FBI）局長雷（Christopher Wray）也發佈聲明說：「中國（中共）對我們的創意、創新和經濟安全構成廣泛而嚴重的威脅，沒有其它國家比得上。」

對台灣三名被告的起訴

被告人之一陳正坤原是台灣美光記憶體（Micron Memory Taiwan，MMT）的高級主管，負責製造至少一種美光的DRAM芯片，而MMT是美光2013年在台收購的一家子公司。陳於2015年7月從MMT跳槽到聯電，而當時聯電並無DRAM技術，但陳一直有意到中國大陸發展，於是與對方一一拍即合。

在聯華電子工作期間，陳正坤安排聯電和福建晉華達成合作協議，福建晉華提供資金資助，聯電負責把DRAM技術轉讓給福建晉華、並進行批量生產。這項技術將由聯電和福建晉華共享，陳於2017年2月兼任福建晉華的總經理，負責DRAM生產設施。

在這段時間中，陳正坤從美光的台灣子公司挖走數名員工，其中包括兩名高管何建庭和王永銘，並隨後在短時間內攻克DRAM相關技術。

被告人之一何建庭曾是美光在檯子公司的整合部課長，2015年底跳槽聯電，在離任前偷竊美光機密文件和檔案，並轉交給聯電。另一位被告人王永銘則是美光在檯子公司的品質工程部副經理，在2016年4月離職去了聯電。

何、王兩人一直保持著密切的私人聯繫，在王離職前，他濫用職權、讀取美光屬於機密的DRAM製造方法和技術，檔案多達900個，有些文件就存放在Google文檔中，即便在跳槽到聯電工作後他們仍上去查閱。但王對美光在檯子公司申請的離職理由卻是要打理家庭生意。

有了這兩人的加盟後，聯電與福建晉華於2016年9月-2017年3月期間提交了5項專利，以及1項與DRAM相關的專利申請，後者含有的信息與美光商業機密相同或極度近似。而何是這5項專利以及1項專利申請的發明人。

值得一提的是，根據起訴書，台灣執法部門2017年2月，在持有搜查令的情況下，進入何建庭以及王永銘在聯電的辦公室以及住處，發現含有美光商業機密的電子以及文本文檔。

但戲劇性的是2018年1月，福建晉華和聯電在中共福建法院控告美光旗下的美光半導體銷售（上海）與美光半導體（西安）侵權；7月，福州市中級法院不顧台灣、美國訴訟正在進行，便做出美光子公司侵犯聯電專利權的初裁，要求美光立即停止在華銷售多項動態隨機存取記憶體（DRAM）與儲存型快閃記憶體（NAND Flash）產品。

為保護美光以及懲罰這兩家企業竊取美知識產權，美國商務部10月29日將福建晉華列入出口管制「實體清單」，禁止其購買美國的機器和材料以增加工廠生產DRAM的能力。這意味美國業者必須取得特別許可，才能出口供福建晉華使用的產品。

上述三名被告均被控三項罪名，分別是共謀經濟間諜罪、接收被盜商業機密罪以及共謀竊取商業機密罪。

依照美國法律，被起訴並不等於有罪。若共謀經濟間諜罪和共謀竊取商業機密罪成立，個人最高可判處15年監禁和500萬美元或兩倍於被盜商業機密價值的罰款；若竊取商業機密罪成立，最高可被判處10年監禁以及25萬美元或兩倍於被盜商業機密價值的罰款。

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