通用電氣(GE)全球研究部一名42歲的半導體工程師隋楊(Yang Sui,音譯),5月28日在紐約北區聯邦法庭認罪,承認他在2015年至2017年間,從GE竊取了多個與碳化矽MOSFET的研究、設計和製造有關的電子文件。

MOSFET代表金屬氧化物半導體場效應晶體管,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。根據起訴書,碳化矽MOSFET被用於通用電氣的各種零件和產品,包括航空設備和風力渦輪機。

據隋楊在領英網(LinkedIn)上發佈的個人頁面信息,他在哈爾濱讀完高中後於1996年考上清華大學,攻讀材料科學,之後在愛阿華州立大學和普渡大學分別獲取碩士和博士學位,博士期間他曾擔任普渡大學中國學生學者聯誼會副會長;2010年10月至2018年1月, 他在位於紐約上州Niskayuna的通用集團全球研發中心擔任半導體裝置工程師。

紐約北區聯邦法院法官Mae A. D'Agostino將在2020年9月22日對隋楊判刑。隋楊所犯的「竊取商業機密罪」面臨最高十年的監禁,最高25萬美元或犯罪所得金錢收益兩倍的罰款,外加刑滿後最高三年監督釋放。

此案由聯邦調查局(FBI)調查,由聯邦助理檢察官和國家安全部審判律師起訴。

該案也是近年來由通用電氣(GE)提出的商業秘密盜竊案之一。2014年來自中國的電腦軟件工程師謝軍(Jun Xie,音譯)被控盜竊通用屬下醫療集團(GE Healthcare)的商業機密,竊取了1.4 GB或240萬個信息文件包括工程設計、產品測試信息和業務戰略發送給中國的親戚。由於他是用H-1B工作簽證在美工作,定罪後即被遞解出境。

2018年另一宗案件仍在審理中。該案件中,中國「千人計劃」專家、GE工程師鄭小清在GE動力及水能 (GE Power & Water)工作期間,用「隱寫術」竊取含有天然氣與蒸氣渦輪科技設計模型、工程圖及其它細節的電子檔。隨後他將這些檔案寄給位於中國的商人張照曦 (Zhaoxi Zhang,音譯)。鄭小清2018年在紐約上州Niskayuna鎮被捕,紐約北區聯邦法庭定於2020年9月21日遴選陪審團審理此案。#