通用電氣（GE）全球研究部一名42歲的半導體工程師隋楊（Yang Sui，音譯），5月28日在紐約北區聯邦法庭認罪，承認他在2015年至2017年間，從GE竊取了多個與碳化矽MOSFET的研究、設計和製造有關的電子文件。

MOSFET代表金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。根據起訴書，碳化矽MOSFET被用於通用電氣的各種零件和產品，包括航空設備和風力渦輪機。

據隋楊在領英網（LinkedIn）上發佈的個人頁面信息，他在哈爾濱讀完高中後於1996年考上清華大學，攻讀材料科學，之後在愛阿華州立大學和普渡大學分別獲取碩士和博士學位，博士期間他曾擔任普渡大學中國學生學者聯誼會副會長；2010年10月至2018年1月， 他在位於紐約上州Niskayuna的通用集團全球研發中心擔任半導體裝置工程師。

紐約北區聯邦法院法官Mae A. D'Agostino將在2020年9月22日對隋楊判刑。隋楊所犯的「竊取商業機密罪」面臨最高十年的監禁，最高25萬美元或犯罪所得金錢收益兩倍的罰款，外加刑滿後最高三年監督釋放。

此案由聯邦調查局（FBI）調查，由聯邦助理檢察官和國家安全部審判律師起訴。

該案也是近年來由通用電氣（GE）提出的商業秘密盜竊案之一。2014年來自中國的電腦軟件工程師謝軍（Jun Xie，音譯）被控盜竊通用屬下醫療集團（GE Healthcare）的商業機密，竊取了1.4 GB或240萬個信息文件包括工程設計、產品測試信息和業務戰略發送給中國的親戚。由於他是用H-1B工作簽證在美工作，定罪後即被遞解出境。

2018年另一宗案件仍在審理中。該案件中，中國「千人計劃」專家、GE工程師鄭小清在GE動力及水能 （GE Power & Water）工作期間，用「隱寫術」竊取含有天然氣與蒸氣渦輪科技設計模型、工程圖及其它細節的電子檔。隨後他將這些檔案寄給位於中國的商人張照曦 （Zhaoxi Zhang，音譯）。鄭小清2018年在紐約上州Niskayuna鎮被捕，紐約北區聯邦法庭定於2020年9月21日遴選陪審團審理此案。＃

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