為阻止中共在晶片工業上的狂潮式發展,美國最近接連出擊,不僅通過了具有歷史意義的法案,也悄然收緊對中共獲取晶片製造設備的限制,並拉攏晶片製造大國加盟「晶片聯盟」。美國對中共晶片產業的牽制越發明顯。

美國正在加強半導體設備的出口限制,以限制中共在相關領域的發展。

路透社8月1日引述四名消息人士的話說,美國政府正考慮限制向包括中共國營企業長江存儲科技有限責任公司(簡稱長江存儲)在內的存儲晶片製造廠商出口晶片製造設備。這是阻止中共半導體行業發展、保護美國公司努力的一部份。

這幾名消息人士表示,如果美國政府決定採取這一措施,美國將禁止向中國生產先進NAND晶片的工廠出口晶片製造設備。

路透社的報道說,有出口管制專家表示,如果這一新限制措施得到批准,將標誌著美國首次針對中國沒有特殊軍事用途的儲存晶片進行出口管制。這也將保護美國僅有的兩家儲存晶片生產商——西部數據公司和美光科技。這兩家公司合計佔據NAND晶片市場約四分之一的份額。

NAND晶片用於智能手機、個人電腦等設備,以及亞馬遜、Facebook和Google等公司的數據中心。一部手機或手提電腦能存儲多少千兆字節的數據,取決於它包含多少NAND晶片以及它們的先進程度。

如果該措施得以實施,在中國設有NAND晶片工廠的南韓半導體巨頭三星電子公司和SK海力士公司也將受到衝擊。三星在中國有兩家大型工廠,而SK海力士正在收購Intel在中國的NADA閃存晶片製造業務。

彭博社7月30日的報道還表示,美國政府悄然收緊對中共獲取晶片製造設備的出口。

知情人士告訴彭博社,過去兩周左右,所有的美國晶片設備製造商都收到了美國商務部的信函,他們被告知不要向中國供應用於製造14納米或以下的晶片製造設備。

美國兩家主要設備供應商泛林集團(Lam Research)和科磊(KLA)也相繼證實已接獲美國政府的這一通知。

晶片製造領域通常以納米為單位計算,數字越小代表技術越先進。

美國政府曾禁止美國公司在未經許可的情況下向中國企業中芯國際有限公司(簡稱中芯國際)出售大多數可以製造10納米或更先進晶片的設備。此次美國政府將限制從10納米擴大到14納米,意味著更多半導體設備受限。

彭博社也表示,美國也正在推動荷蘭和日本等合作國家,要求這兩個國家的光刻機製造商阿斯麥(ASML)和尼康(Nikon)禁止向中國出售主流技術。這些技術對製造世界上大部份晶片至關重要。

美國國會通過歷史性晶片法案

7月底,美國國會參眾兩院在通過了具有歷史意義的《晶片與科學法案》(Chips and Science Act),為與中共之間的晶片競爭提供了長期戰略支持。目前該法案已送往白宮,等待美國總統拜登(Joe Biden)簽署後成為法律。

這份價值2,800億美元的晶片法案為美國半導體生產提供520億美元補貼,並為晶片工廠提供240億美元的投資稅收抵免,以吸引晶片大廠赴美設廠。該法案還將授權在5年內撥款超過1,700億美金,促進美國的科學研究,以便更好地與中共競爭。

這項法案被認為是一項開創性的立法,是重振美國工業基礎和加強國家安全利益的方式,以應對未來若海外供應鏈中斷,美國所受到的衝擊,因為目前絕大多數先進的半導體都在美國國外生產。

但它也明確規定,自該法案生效之日起的10年期間,獲得美國政府資金的實體不得在中國或任何其它受關注的外國從事任何涉及半導體製造的實質性擴張的重大交易。這些限制被認為將阻止這些實體10年之內在中國大幅擴大比28納米更先進的晶片的產能。

即使28納米晶片比目前最尖端的半導體落後幾代,但它們仍然被廣泛用於汽車、智能手機等產品中。

美日將在半導體領域進行合作

為加強用於量子電腦的新一代晶片量產的聯合研究,美國和日本政府決定成立新的研究機構,並要求南韓和台灣參與。

美日兩國7月29日在美國華盛頓召開的經濟「2+2」部長級會議上,美日兩國同意建立一個新的下一代半導體聯合研究中心。兩國在會後的聯合聲明中表示,他們就強化半導體、電池、重要礦物等戰略性物資的供應鏈彈性達成共識。

美日將聯合研發系統半導體領域的2納米半導體。美日兩國認為,最重要的合作領域是新一代半導體的研發。美日通過加強尖端半導體的合作,在提高兩國競爭力的同時,也能在重要技術方面減少對對抗國家的依賴。

最近,美國政府也正在邀請南韓參與由美國主導、將中共排斥在外的晶片四方聯盟。聯盟旨在加強美國、南韓、台灣和日本的半導體合作,構築安全的半導體供應鏈。目前台灣和日本已經決定參與,南韓尚未確定是否加入。

北京砸重本推晶片研發

中共近幾年傾舉國之力發展晶片,儘管距離最尖端技術相差甚遠,但已逐步在產業供應鏈中佔據一定優勢。

據中國半導體行業測算,2020年中國集成電路銷售收入達到8,848億元人民幣(約合1,309億美元)。

2020年年中,中共國務院印發文件,強調集成電路產業和軟件產業是信息產業的核心。雖然晶片行業的國產化正在加速,但目前產量仍不能有效滿足各行業對晶片的需求,同時疊加部份產業對於高端晶片的進口依賴,使中國的晶片進口量一直位於世界前列。

中共國務院發布數據稱,中國晶片自給率要在2025年達到70%,而2019年中國晶片的自給率為30%左右。

中共工業和信息化部總工程師、新聞發言人田玉龍在2021年3月曾稱,中共高度重視晶片產業、集成電路產業,並發布了促進產業發展的相關政策。他還稱,中共將在多個領域採取措施,在國家層面上給予大力扶持。

總部位於湖北省武漢市的長江存儲是中國製造NAND閃存晶片的新興企業。公開資料顯示,長江存儲成立於2016年12月21日,出資方包括紫光集團控股子公司紫光國器與中共國家資本,註冊資本高達386億元人民幣(約合57億美元)。紫光集團是中共國有控股企業,是中國存儲晶片和網絡產品與服務的領軍企業之一,但在2021年7月9日宣告破產重組。

2020年4月13日,長江存儲宣布推出128層QLC 3D NAND閃存,單顆容量達到1.33Tb。2018年4月26日,中共最高領導人習近平到長江存儲視察,強調要「加快在晶片技術上實現重大突破」。

美國白宮在2021年6月份公布的一份報告中表示,長江存儲接受了中共當局約240億美元的補貼,美光科技和西部數據正面臨長江存儲的低價壓力,長江存儲的擴張和低價產品對這兩家科技公司構成了直接威脅。

中國企業靠高薪利誘挖角

中國中芯國際創辦人、前CEO張汝京在2021年11月曾公開表示,中國想要實現半導體自給自足的最大障礙並不是缺資金,而是產業長期缺乏人才。

中國集成電路及手機行業入門網站集微網在2022年1月的一篇報道中說,美光科技正在解散位於中國上海的DRAM設計團隊,並挑選核心員工以技術移民前往美國。

據一位前美光員工透露,美光的DRAM設計團隊此前有一大波人員流失至中國本土IC設計公司和存儲大廠。

半導體行業一名高管表示,美光解散DRAM設計團隊,很有可能是出於防止技術外洩的考慮,雖然目前中國的DRAM企業數量相對較少,但未來幾年內或有可能出現新的DRAM製造商,並且現有的DRAM企業也正求才若渴,美光此舉或是想將產品的設計和研發收攏至中國大陸以外地區。

由於半導體人才匱乏,中國半導體企業還大舉從台灣挖角,尤其是針對資深高管。

德國之聲中文網在2021年8月的一篇報道中說,近年來,中資公司透過各式管道在台灣設立團隊、將半導體工程師挖角,引起台灣政府警戒。

曾任職台灣晶片製造大廠的台灣半導體工程師Kevin告訴德國之聲,他透過獵頭介紹,接連在多家中國半導體公司面試,後來在LinkeIn(Linkedin)上被挖角,順利進入華為的台灣總代理商訊崴工作。這一跳槽,使他的薪資向上加了20%。

文章說,在過去,中國公司通常直接將台灣人才挖角到中國,但近年來因許多台灣工程師不願背井離鄉,一些中國企業便通過各式管道在台灣設立辦公室,以就近吸引人才。中國挖礦晶片公司比特大陸、阿里巴巴旗下的平頭哥半導體等都曾在台灣挖角。

日本媒體《日經亞洲》在2020年8月也報道說,自2019年起,中國泉芯集成電路製造(濟南)有限公司(QXIC)和武漢弘芯半導體製造有限公司(HSMC)這兩家中國半導體企業,從台積電挖走100多名資深工程師和管理人員。

消息人士告訴《日經亞洲》,這兩家半導體廠各自挖到50多名台積電員工,以發展14納米和12納米工藝。據悉,弘芯提供的待遇是台積電員工年薪和獎金總額的2-2.5倍。雖然人才流失不會立即影響台積電在業內的領先地位,但台積電非常擔心人才流失,並擔心商業機密可能會被轉移到這些新興的中國廠商手中。

有數字顯示,2019年,中國半導體企業從台灣地區挖走的技術人才總數超過3,000人。2015年後,技術人才流動更加快速,其中包括前台積電聯合COO蔣尚義,前台積電研發部門高管梁孟松,前聯華電子CEO孫世偉等等。

任正非:中國還造不出先進晶片

中國科技公司華為創始人任正非在2020年9月曾公開說,中國還造不出先進的晶片。

任正非稱,華為遇到的困難是,「我們設計的先進晶片,國內的基礎工業還造不出來,我們不可能又做產品,又去製造晶片」。

他說,領導經常會問,科研的最新進展怎麼樣,研究成果有甚麼價值,能創造多少GDP。科學家要麼說不出話,要麼只好說違心的話。他說,當科學家過多關心應用、關心價值,他怎麼飛得高?

他還稱,華為受到百年未聞的圍剿。

2020年9月15日,美國對華為的禁令正式生效,使用到美方技術的晶片企業將不得在未經允許的情況下向華為供貨。@

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