【大紀元記者於倩綜合報道】台灣國家實驗研究院納米元件實驗室（NDL）領先全球，開發出全球最小的9納米功能性電阻式記憶體（R-RAM）陣列晶胞，在幾乎不需耗電的情況下，1平方公分面積內可儲存1個圖書館的文字資料，這項技術預計在5到10年內進入量產。
NDL納米生醫與微機電元件組組長何家驊昨日指出，他的研究團隊開發出的9納米功能性電阻式記憶體（R-RAM）陣列晶胞，是利用三氧化鎢、二氧化鎢及鎢電極的新混合結構，以及氧原子推動低耗電原理，開發出全球目前最小的9納米R-RAM，容量比現行快閃記憶體增加約20倍，耗電量則降低約200倍。
他強調，這種新記憶體可在幾乎不需耗電的情況下，在1平方公分、僅約拇指指甲大小的面積內儲存1個圖書館的文字資料（約等同100小時3D立體電影、200小時DVD影片、10萬首MP3、100萬張照片）；且可再藉立體堆疊設計，進一步提升容量，讓資訊電子產品的輕薄短小化有無限發揮的可能性，包含筆記簿型電腦都將輕薄化。
何家驊預計，這項新技術5到10年內量產，使得產值僅佔全球產值1%不到的台灣快閃記憶體產值占比提升到佔全球產值的10%。◇
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